東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布其已開發了用于Ku波段(12GHz到18GHz)頻率范圍的氮化鎵(GaN)功率場效應晶體管(FET),使該...
貿澤電子即日起備貨Qorvo? QPA1724 Ku K波段氮化鎵 (GaN) 功率放大器 (PA)。該產品功率可達同類PA的兩倍,并且能夠提供出色的寬帶線性功率、增益和功率附加效率 (PAE),具備非常出色的RF性能。
貿澤電子即日起備貨Qorvo?的QPA1314T 功率放大器 (PA)。QPA1314T采用Qorvo的0 15um 碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 工藝 (QGaN15) 制造,并安裝在高導熱墊片上,是一款大功率MMIC放大器,非常適合商業和國防射頻通信應用。
納芯微全新推出GaN相關產品,包含GaN驅動NSD2621與集成化的Power Stage產品NSG65N15K,均可廣泛適用于快充、儲能、服務器電源等多種GaN應用場景。
Transphorm推出新的240W電源適配器參考設計。TDAIO-TPH-ON-240W-RD部署了CCM升壓PFC+半橋LLC拓撲結構,峰值功率效率超過96%,功率密度高達30W in3。
Transphorm和偉詮電子宣布,雙方合作推出首個GaN系統級封裝(SiP)。
泰克科技推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關器件正推動電動汽車、太陽能、工控等領域快速發展,泰克WBG-DPT解決方案能夠對寬禁帶器件(如SiC和GaN MOSFETs)提供自動可重復的、高精度測量功能。
氮化鎵器件是第三代半導體中的典型代表,具有極快的開關速度,能夠顯著提升功率變換器的性能,受到電源工程師的青睞。同時,極快的開關速度又對其動態特性的測試提出了更高的要求,稍有不慎就會得到錯誤結果。
英飛凌科技股份公司近日宣布完成收購氮化鎵系統公司(GaN Systems)。這家總部位于加拿大渥太華的公司,為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。